Name: S2M0160120D
Brand: SMC Diode Solutions
SKU: 1655-S2M0160120D-ND
Price: 5.6882 EUR
Availability: InStock

N-Kanal 1200 V 17 A (Tc) 130W (Tc) Durchkontaktierung TO-247AD

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S2M0160120D
DigiKey-Teilenr.	1655-S2M0160120D-ND
Hersteller	SMC Diode Solutions
Hersteller-Teilenummer	S2M0160120D
Beschreibung	MOSFET SILICON CARBIDE SIC 1200V
Standardlieferzeit des Herstellers	12 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 1200 V 17 A (Tc) 130W (Tc) Durchkontaktierung TO-247AD
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

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Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Vgs(th) (max.) bei Id 4V bei 2,5mA
Herst. SMC Diode Solutions	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 26.5 nC @ 20 V
Verpackung Stange	Vgs (Max.) +20V, -5V
Status der Komponente Aktiv	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 513 pF @ 1000 V
FET-Typ N-Kanal	Verlustleistung (max.) 130W (Tc)
Technologie SiCFET (Siliziumkarbid)	Betriebstemperatur -55°C bis 175°C (TJ)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 1200 V	Montagetyp Durchkontaktierung
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 17 A (Tc)	Gehäusetyp vom Lieferanten TO-247AD
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 20V	Gehäuse / Hülle TO-247-3
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 196mOhm bei 10A, 20V

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1	4,78000 €	4,78 €
10	3,18000 €	31,80 €
300	1,99100 €	597,30 €
600	1,84965 €	1.109,79 €
1.200	1,73085 €	2.077,02 €
2.100	1,65996 €	3.485,92 €

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