Name: S1M1000170D
Brand: SMC Diode Solutions
SKU: 1655-S1M1000170D-ND
Price: 3.9032 EUR
Availability: OutOfStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

S1M1000170D
DigiKey-Teilenr.	1655-S1M1000170D-ND
Hersteller	SMC Diode Solutions
Hersteller-Teilenummer	S1M1000170D
Beschreibung	MOSFET SILICON CARBIDE SIC 1700V
Standardlieferzeit des Herstellers	12 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 1700 V 5,2 A (Tc) 81W (Tc) Durchkontaktierung TO-247AD
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	SMC Diode Solutions
Serie	-
Verpackung	Stange
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	SiCFET (Siliziumkarbid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	1700 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	5,2 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	20V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	1,3Ohm bei 2A, 20V
Vgs(th) (max.) bei Id	4V bei 500µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	10 nC @ 20 V
Vgs (Max.)	+25V, -10V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	160 pF @ 1000 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	81W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 175°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten	TO-247AD
Gehäuse / Hülle	TO-247-3

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Menge	Stückpreis	Gesamtpreis
1	3,28000 €	3,28 €
10	2,15200 €	21,52 €
300	1,30870 €	392,61 €
600	1,20837 €	725,02 €
1.200	1,12398 €	1.348,78 €
2.100	1,09226 €	2.293,75 €

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