Name: GP3T080A120H
Brand: SemiQ
SKU: 1560-GP3T080A120H-ND
Price: 5.8905 EUR
Availability: InStock

Neues Produkt

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GP3T080A120H
DigiKey-Teilenr.	1560-GP3T080A120H-ND
Hersteller	SemiQ
Hersteller-Teilenummer	GP3T080A120H
Beschreibung	GEN3 1200V, 80M SIC MOSFET, TO-2
Standardlieferzeit des Herstellers	22 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 1200 V 32 A (Tc) 147W (Tc) Durchkontaktierung TO-247-4
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	SemiQ
Serie	QSiC™
Verpackung	Stange
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	SiCFET (Siliziumkarbid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	1200 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	32 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	18V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	100mOhm bei 10A, 18V
Vgs(th) (max.) bei Id	4V bei 5mA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	53 nC @ 18 V
Vgs (Max.)	+22V, -8V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	1351 pF @ 1000 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	147W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 175°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten	TO-247-4
Gehäuse / Hülle	TO-247-4

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Menge

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Menge	Stückpreis	Gesamtpreis
1	4,95000 €	4,95 €
10	3,31000 €	33,10 €
100	2,37810 €	237,81 €
500	1,98104 €	990,52 €
1.000	1,90014 €	1.900,14 €

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