Name: GP2T030A170H
Brand: SemiQ
SKU: 1560-GP2T030A170H-ND
Price: 28.8218 EUR
Availability: InStock

Neues Produkt

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GP2T030A170H
DigiKey-Teilenr.	1560-GP2T030A170H-ND
Hersteller	SemiQ
Hersteller-Teilenummer	GP2T030A170H
Beschreibung	SIC MOSFET
Standardlieferzeit des Herstellers	22 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 1700 V 83 A (Tc) 564W (Tc) Durchkontaktierung TO-247-4

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	SemiQ
Serie	-
Verpackung	Stange
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	SiCFET (Siliziumkarbid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	1700 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	83 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	20V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	36mOhm bei 60A, 20V
Vgs(th) (max.) bei Id	4V bei 20mA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	233 nC @ 20 V
Vgs (Max.)	+25V, -10V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	6202 pF @ 1.2 kV
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	564W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 175°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten	TO-247-4
Gehäuse / Hülle	TO-247-4

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Menge	Stückpreis	Gesamtpreis
1	24,22000 €	24,22 €
10	17,70000 €	177,00 €
100	15,01150 €	1.501,15 €

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