GCMX005A120S7B1
Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

GCMX005A120S7B1

DigiKey-Teilenr.
1560-GCMX005A120S7B1-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
GCMX005A120S7B1
Beschreibung
MOSFET 2N-CH 1200V 348A
Standardlieferzeit des Herstellers
22 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
MOSFETs - Arrays 1200V (1,2kV) 348A (Tc) 1,042kW (Tc) Chassisbefestigung
Datenblatt
 Datenblatt
Produkteigenschaften
Typ
Beschreibung
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Kategorie
Hersteller
SemiQ
Serie
-
Verpackung
Tablett
Status der Komponente
Aktiv
Technologie
Siliziumkarbid (SiC)
Konfiguration
2 N-Kanal (Halbbrücke)
FET-Merkmal
-
Drain-Source-Spannung (Vdss)
1200V (1,2kV)
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
348A (Tc)
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
7mOhm bei 200A, 20V
Vgs(th) (max.) bei Id
4V bei 80mA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
978nC bei 20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
29300pF bei 800V
Leistung - Max.
1,042kW (Tc)
Betriebstemperatur
-40°C bis 175°C (TJ)
Klasse
-
Qualifizierung
-
Montagetyp
Chassisbefestigung
Gehäuse / Hülle
Modul
Gehäusetyp vom Lieferanten
-
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