Name: GCMX010A120B2B1P
Brand: SemiQ
SKU: 1560-GCMX010A120B2B1P-ND
Price: 85.3825 EUR
Availability: InStock

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GCMX010A120B2B1P
DigiKey-Teilenr.	1560-GCMX010A120B2B1P-ND
Hersteller	SemiQ
Hersteller-Teilenummer	GCMX010A120B2B1P
Beschreibung	MOSFET 2N-CH 1200V 214A
Standardlieferzeit des Herstellers	22 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	MOSFETs - Arrays 1200V (1,2kV) 214A (Tc) 750W (Tc) Chassisbefestigung
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs FET- und MOSFET-Arrays
Hersteller	SemiQ
Serie	-
Verpackung	Tablett
Status der Komponente	Aktiv
Technologie	Siliziumkarbid (SiC)
Konfiguration	2 N-Kanal (Halbbrücke)
FET-Merkmal	-
Drain-Source-Spannung (Vdss)	1200V (1,2kV)
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	214A (Tc)
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	12mOhm bei 100A, 20V
Vgs(th) (max.) bei Id	4V bei 40mA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	476nC bei 20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	13100pF bei 800V
Leistung - Max.	750W (Tc)
Betriebstemperatur	-40°C bis 175°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Chassisbefestigung
Gehäuse / Hülle	Modul
Gehäusetyp vom Lieferanten	-

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