GCMX020A120B2B1P
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GCMX020A120B2B1P

DigiKey-Teilenr.
1560-GCMX020A120B2B1P-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
GCMX020A120B2B1P
Beschreibung
MOSFET 2N-CH 1200V 102A
Standardlieferzeit des Herstellers
22 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
MOSFETs - Arrays 1200V (1,2kV) 102 A (Tc) 385W (Tc) Chassisbefestigung
Datenblatt
 Datenblatt
Produkteigenschaften
Typ
Beschreibung
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Kategorie
Hersteller
SemiQ
Serie
-
Verpackung
Tablett
Status der Komponente
Aktiv
Technologie
Siliziumkarbid (SiC)
Konfiguration
2 N-Kanal (Halbbrücke)
FET-Merkmal
-
Drain-Source-Spannung (Vdss)
1200V (1,2kV)
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
102 A (Tc)
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
28mOhm bei 50A, 20V
Vgs(th) (max.) bei Id
4V bei 20mA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
241nC bei 20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
6500pF bei 800V
Leistung - Max.
385W (Tc)
Betriebstemperatur
-40°C bis 175°C (TJ)
Klasse
-
Qualifizierung
-
Montagetyp
Chassisbefestigung
Gehäuse / Hülle
Modul
Gehäusetyp vom Lieferanten
-
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