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Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.
GCMX005A120S3B1-N | |
|---|---|
DigiKey-Teilenr. | 1560-GCMX005A120S3B1-N-ND |
Hersteller | |
Hersteller-Teilenummer | GCMX005A120S3B1-N |
Beschreibung | 1200V, 5M SIC MOSFET HALF BRIDGE |
Standardlieferzeit des Herstellers | 22 Wochen |
Kundenreferenz | |
Detaillierte Beschreibung | MOSFETs - Arrays 1200V (1,2kV) 424A (Tc) 1,531kW (Tc) Chassisbefestigung |
Datenblatt | Datenblatt |
Produkteigenschaften
Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
Kategorie | ||
Hersteller | SemiQ | |
Serie | ||
Verpackung | Box | |
Status der Komponente | Aktiv | |
Technologie | Siliziumkarbid (SiC) | |
Konfiguration | 2 N-Kanal (Halbbrücke) | |
FET-Merkmal | - | |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 1200V (1,2kV) | |
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C | 424A (Tc) | |
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs | 7mOhm bei 200A, 20V | |
Vgs(th) (max.) bei Id | 4V bei 80mA | |
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs | 901nC bei 20V | |
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds | 26400pF bei 800V | |
Leistung - Max. | 1,531kW (Tc) | |
Betriebstemperatur | -40°C bis 175°C (TJ) | |
Klasse | - | |
Qualifizierung | - | |
Montagetyp | Chassisbefestigung | |
Gehäuse / Hülle | Modul | |
Gehäusetyp vom Lieferanten | - |
Auf Lager: 15
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Menge
Alle Preise in EUR
Box
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1 | 167,85000 € | 167,85 € |
| 15 | 156,41600 € | 2.346,24 € |
| Stückpreis ohne MwSt.: | 167,85000 € |
|---|---|
| Stückpreis mit MwSt.: | 199,74150 € |
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