Name: RV8C010UNHZGG2CR
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: 846-RV8C010UNHZGG2CRTR-ND
Price: 0.8925 EUR
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

RV8C010UNHZGG2CR
DigiKey-Teilenr.	846-RV8C010UNHZGG2CRTR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 846-RV8C010UNHZGG2CRCT-ND - Gurtabschnitt (CT) 846-RV8C010UNHZGG2CRDKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Rohm Semiconductor
Hersteller-Teilenummer	RV8C010UNHZGG2CR
Beschreibung	MOSFET N-CH 20V 1A DFN1010-3W
Standardlieferzeit des Herstellers	99 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 20 V 1 A (Ta) 1W Oberflächenmontage DFN1010-3W
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Rohm Semiconductor
Serie	-
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	20 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	1 A (Ta)
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	470mOhm bei 500mA, 4,5V
Vgs(th) (max.) bei Id	1V bei 1mA
Vgs (Max.)	±8V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	40 pF @ 10 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	1W
Betriebstemperatur	150°C (TJ)
Klasse	Automobiltechnik
Qualifizierung	AEC-Q101
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	DFN1010-3W
Gehäuse / Hülle	3-XFDFN
Basis-Produktnummer	RV8C010