Name: RSJ550N10TL
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: RSJ550N10TLTR-ND
Price: 5.3669 EUR
Availability: OutOfStock

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RSJ550N10TL
DigiKey-Teilenr.	RSJ550N10TLTR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) RSJ550N10TLCT-ND - Gurtabschnitt (CT) RSJ550N10TLDKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Rohm Semiconductor
Hersteller-Teilenummer	RSJ550N10TL
Beschreibung	MOSFET N-CH 100V 55A LPTS
Standardlieferzeit des Herstellers	21 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 100 V 55 A (Ta) 100W (Tc) Oberflächenmontage LPTS
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	RSJ550N10TL Modelle

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Rohm Semiconductor
Serie	-
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	100 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	55 A (Ta)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	4V, 10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	16,8mOhm bei 27,5A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	2,5V bei 1mA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	143 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	6150 pF @ 25 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	100W (Tc)
Betriebstemperatur	150°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	LPTS
Gehäuse / Hülle	TO-263-3, D2PAK (2 Pins + Lasche), TO-263AB
Basis-Produktnummer	RSJ550