Name: RRH100P03GZETB
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: RRH100P03GZETBTR-ND
Price: 1.309 EUR
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

RRH100P03GZETB
DigiKey-Teilenr.	RRH100P03GZETBTR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) RRH100P03GZETBCT-ND - Gurtabschnitt (CT) RRH100P03GZETBDKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Rohm Semiconductor
Hersteller-Teilenummer	RRH100P03GZETB
Beschreibung	MOSFET P-CH 30V 10A 8SOP
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	P-Kanal 30 V 10 A (Ta) 650mW (Ta) Oberflächenmontage 8-SOP
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	RRH100P03GZETB Modelle

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Rohm Semiconductor
Serie	-
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®
Status der Komponente	Nicht für Neukonstruktionen
FET-Typ	P-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	30 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	10 A (Ta)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	4V, 10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	12,6mOhm bei 10A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	2,5V bei 1mA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	68 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	3600 pF @ 10 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	650mW (Ta)
Betriebstemperatur	150°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	8-SOP
Gehäuse / Hülle	8-SOIC (0,154", 3,90mm Breite)
Basis-Produktnummer	RRH100