Name: RQ3G150GNTB
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: RQ3G150GNTBTR-ND
Price: 1.8921 EUR
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

RQ3G150GNTB
DigiKey-Teilenr.	RQ3G150GNTBTR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) RQ3G150GNTBCT-ND - Gurtabschnitt (CT) RQ3G150GNTBDKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Rohm Semiconductor
Hersteller-Teilenummer	RQ3G150GNTB
Beschreibung	MOSFET N-CHANNEL 40V 39A 8HSMT
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 40 V 39 A (Tc) 20W (Tc) Oberflächenmontage 8-HSMT (3,2x3)
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	RQ3G150GNTB Modelle

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Rohm Semiconductor
Serie	-
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®
Status der Komponente	Nicht für Neukonstruktionen
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	40 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	39 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	7,2mOhm bei 15A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	2,5V bei 1mA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	11.6 nC @ 4.5 V
Vgs (Max.)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	1450 pF @ 20 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	20W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	8-HSMT (3,2x3)
Gehäuse / Hülle	8-PowerVDFN
Basis-Produktnummer	RQ3G150