RQ3E150MNTB1 ist obsolet und wird nicht mehr hergestellt.
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N-Kanal 30 V 15 A (Ta) 2W (Ta) Oberflächenmontage 8-HSMT (3,2x3)
Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.
N-Kanal 30 V 15 A (Ta) 2W (Ta) Oberflächenmontage 8-HSMT (3,2x3)
8 HSMT

RQ3E150MNTB1

DigiKey-Teilenr.
RQ3E150MNTB1TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
RQ3E150MNTB1CT-ND - Gurtabschnitt (CT)
RQ3E150MNTB1DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
RQ3E150MNTB1
Beschreibung
MOSFET N-CH 30V 15A 8HSMT
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 30 V 15 A (Ta) 2W (Ta) Oberflächenmontage 8-HSMT (3,2x3)
Datenblatt
 Datenblatt
EDA/CAD-Modelle
RQ3E150MNTB1 Modelle
Produkteigenschaften
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Kategorie
Vgs(th) (max.) bei Id
2,5V bei 1mA
Herst.
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
20 nC @ 10 V
Verpackung
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Vgs (Max.)
±20V
Status der Komponente
Obsolet
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
1100 pF @ 15 V
FET-Typ
Verlustleistung (max.)
2W (Ta)
Technologie
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
30 V
Montagetyp
Oberflächenmontage
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Gehäusetyp vom Lieferanten
8-HSMT (3,2x3)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
4,5V, 10V
Gehäuse / Hülle
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
6,7mOhm bei 15A, 10V
Basis-Produktnummer
Umwelt- und Exportklassifikationen
Fragen und Antworten zum Produkt
Zusätzliche Ressourcen
Ersatzartikel (10)
TeilenummerHersteller Verfügbare MengeDigiKey-Teilenr. Stückpreis Typ des Ersatzartikels
RQ3E150GNTBRohm Semiconductor14.464RQ3E150GNTBCT-ND0,81000 ۀhnlich
CSD17552Q3ATexas Instruments7.860296-34990-1-ND1,45000 ۀhnlich
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Obsolet
Dieses Produkt wird nicht mehr hergestellt. Ersatzartikel anzeigen.