Name: RJ1P10BBHTL1
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: 846-RJ1P10BBHTL1TR-ND
Price: 7.8064 EUR
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

RJ1P10BBHTL1
DigiKey-Teilenr.	846-RJ1P10BBHTL1TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 846-RJ1P10BBHTL1CT-ND - Gurtabschnitt (CT) 846-RJ1P10BBHTL1DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Rohm Semiconductor
Hersteller-Teilenummer	RJ1P10BBHTL1
Beschreibung	NCH 100V 105A, TO-263AB, POWER M
Standardlieferzeit des Herstellers	23 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 100 V 105 A (Tc) 189W (Tc) Oberflächenmontage TO-263AB
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Rohm Semiconductor
Serie	-
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	100 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	105 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	6V, 10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	3mOhm bei 90A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	4V bei 1mA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	135 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	8600 pF @ 50 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	189W (Tc)
Betriebstemperatur	150°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	TO-263AB
Gehäuse / Hülle	TO-263-3, D2PAK (2 Pins + Lasche), TO-263AB