Name: RF4G100BGTCR
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: 846-RF4G100BGTCRTR-ND
Price: 1.4042 EUR
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

RF4G100BGTCR
DigiKey-Teilenr.	846-RF4G100BGTCRTR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 846-RF4G100BGTCRCT-ND - Gurtabschnitt (CT) 846-RF4G100BGTCRDKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Rohm Semiconductor
Hersteller-Teilenummer	RF4G100BGTCR
Beschreibung	NCH 40V 10A, HUML2020L8, POWER M
Standardlieferzeit des Herstellers	21 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 40 V 10 A (Ta) 2W (Ta) Oberflächenmontage DFN2020-8S
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Rohm Semiconductor
Serie	-
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	40 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	10 A (Ta)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	4,5V, 10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	14,2mOhm bei 10A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	2,5V bei 1mA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	10.6 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	530 pF @ 20 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	2W (Ta)
Betriebstemperatur	150°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	DFN2020-8S
Gehäuse / Hülle	8-PowerUDFN
Basis-Produktnummer	RF4G100