Name: RCX080N25
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: RCX080N25-ND
Price: 1.8802 EUR
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

RCX080N25
DigiKey-Teilenr.	RCX080N25-ND
Hersteller	Rohm Semiconductor
Hersteller-Teilenummer	RCX080N25
Beschreibung	MOSFET N-CH 250V 8A TO220FM
Standardlieferzeit des Herstellers	16 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 250 V 8 A (Tc) 2,23W (Ta), 35W (Tc) Durchkontaktierung TO-220FM
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	RCX080N25 Modelle

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Rohm Semiconductor
Serie	-
Verpackung	Lose im Beutel
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	250 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	8 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	600mOhm bei 4A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	5V bei 1mA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	15 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	840 pF @ 25 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	2,23W (Ta), 35W (Tc)
Betriebstemperatur	150°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten	TO-220FM
Gehäuse / Hülle	TO-220-3 voller Pack
Basis-Produktnummer	RCX080

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