N-Kanal 250 V 8 A (Tc) 2,23W (Ta), 35W (Tc) Durchkontaktierung TO-220FM
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RCX080N25

DigiKey-Teilenr.
RCX080N25-ND
Hersteller
Rohm Semiconductor
Hersteller-Teilenummer
RCX080N25
Beschreibung
MOSFET N-CH 250V 8A TO220FM
Standardlieferzeit des Herstellers
16 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 250 V 8 A (Tc) 2,23W (Ta), 35W (Tc) Durchkontaktierung TO-220FM
Datenblatt
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Produkteigenschaften
Typ
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Kategorie
Herst.
Rohm Semiconductor
Serie
-
Verpackung
Lose im Beutel
Status der Komponente
Aktiv
FET-Typ
N-Kanal
Technologie
MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
250 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
8 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
600mOhm bei 4A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id
5V bei 1mA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
15 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
840 pF @ 25 V
FET-Merkmal
-
Verlustleistung (max.)
2,23W (Ta), 35W (Tc)
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Klasse
-
Qualifizierung
-
Montagetyp
Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-220FM
Gehäuse / Hülle
TO-220-3 voller Pack
Basis-Produktnummer
RCX080
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101,00400 €10,04 €
1000,67490 €67,49 €
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1.0000,48868 €488,68 €
2.0000,45057 €901,14 €
5.0000,40934 €2.046,70 €
10.0000,40139 €4.013,90 €
Standardverpackung des Herstellers
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Stückpreis mit MwSt.:1,88020 €