TO-220-3
Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.
TO-220-3
4th Gen Super Junction MOSFETs R60xxYNx
Presto MOS R600xVNx Series

R6013VNXC7G

DigiKey-Teilenr.
846-R6013VNXC7G-ND
Hersteller
Rohm Semiconductor
Hersteller-Teilenummer
R6013VNXC7G
Beschreibung
600V 8A TO-220FM, PRESTOMOS WITH
Standardlieferzeit des Herstellers
18 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 600 V 8 A (Tc) 54W (Tc) Durchkontaktierung TO-220FM
Datenblatt
 Datenblatt
Produkteigenschaften
Typ
Beschreibung
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Kategorie
Herst.
Rohm Semiconductor
Serie
-
Verpackung
Stange
Status der Komponente
Aktiv
FET-Typ
N-Kanal
Technologie
MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
600 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
8 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V, 15V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
300mOhm bei 3A, 15V
Vgs(th) (max.) bei Id
6,5V bei 500µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
21 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
900 pF @ 100 V
FET-Merkmal
-
Verlustleistung (max.)
54W (Tc)
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Klasse
-
Qualifizierung
-
Montagetyp
Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-220FM
Gehäuse / Hülle
TO-220-3 voller Pack
Basis-Produktnummer
R6013VN
Fragen und Antworten zum Produkt

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