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TO-220-3
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R6012FNX

DigiKey-Teilenr.
R6012FNX-ND
Hersteller
Rohm Semiconductor
Hersteller-Teilenummer
R6012FNX
Beschreibung
MOSFET N-CH 600V 12A TO220FM
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 600 V 12 A (Tc) 50W (Tc) Durchkontaktierung TO-220FM
Datenblatt
 Datenblatt
EDA/CAD-Modelle
R6012FNX Modelle
Produkteigenschaften
Typ
Beschreibung
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Kategorie
Herst.
Rohm Semiconductor
Serie
-
Verpackung
Lose im Beutel
Status der Komponente
Nicht für Neukonstruktionen
FET-Typ
N-Kanal
Technologie
MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
600 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
12 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
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FET-Merkmal
-
Verlustleistung (max.)
50W (Tc)
Betriebstemperatur
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Klasse
-
Qualifizierung
-
Montagetyp
Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-220FM
Gehäuse / Hülle
TO-220-3 voller Pack
Basis-Produktnummer
R6012
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