Name: IRF822
Brand: Harris Corporation
SKU: 2156-IRF822-ND
Price: 0.68772 EUR
Availability: InStock

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IRF822
DigiKey-Teilenr.	2156-IRF822-ND
Hersteller	Harris Corporation
Hersteller-Teilenummer	IRF822
Beschreibung	N-CHANNEL POWER MOSFET
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 500 V 2,2 A (Tc) 50W (Tc) Durchkontaktierung TO-220AB
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

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Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Vgs(th) (max.) bei Id 4V bei 250µA
Herst. Harris Corporation	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 19 nC @ 10 V
Verpackung Lose im Beutel	Vgs (Max.) ±20V
Status der Komponente Aktiv	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 360 pF @ 25 V
FET-Typ N-Kanal	Verlustleistung (max.) 50W (Tc)
Technologie MOSFET (Metalloxid)	Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 500 V	Montagetyp Durchkontaktierung
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 2,2 A (Tc)	Gehäusetyp vom Lieferanten TO-220AB
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 10V	Gehäuse / Hülle TO-220-3
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 4Ohm bei 1,4A, 10V

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