IRF60B217 Infineon Technologies | Einzelne FETs, MOSFETs

IRF60B217 ist obsolet und wird nicht mehr hergestellt.

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STMicroelectronics

Vorrätig: 928

Stückpreis : 2,69000 €

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

IRF60B217
DigiKey-Teilenr.	IRF60B217-ND
Hersteller	Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer	IRF60B217
Beschreibung	MOSFET N-CH 60V 60A TO220AB
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 60 V 60 A (Tc) 83W (Tc) Durchkontaktierung TO-220AB
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	IRF60B217 Modelle

Produkteigenschaften

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Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Vgs(th) (max.) bei Id 3,7V bei 50µA
Herst. Infineon Technologies	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 66 nC @ 10 V
Serie StrongIRFET™	Vgs (Max.) ±20V
Verpackung Stange	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 2230 pF @ 25 V
Status der Komponente Obsolet	Verlustleistung (max.) 83W (Tc)
FET-Typ N-Kanal	Betriebstemperatur -55°C bis 175°C (TJ)
Technologie MOSFET (Metalloxid)	Montagetyp Durchkontaktierung
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60 V	Gehäusetyp vom Lieferanten TO-220AB
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 60 A (Tc)	Gehäuse / Hülle TO-220-3
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 6V, 10V	Basis-Produktnummer IRF60B217
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 9mOhm bei 36A, 10V