IRF60B217 ist obsolet und wird nicht mehr hergestellt.

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Vorrätig: 936

Stückpreis : 2,54000 €

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

IRF60B217
DigiKey-Teilenr.	IRF60B217-ND
Hersteller	Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer	IRF60B217
Beschreibung	MOSFET N-CH 60V 60A TO220AB
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 60 V 60 A (Tc) 83W (Tc) Durchkontaktierung TO-220AB
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	IRF60B217 Modelle

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Infineon Technologies
Serie	StrongIRFET™
Verpackung	Stange
Status der Komponente	Obsolet
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	60 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	60 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	6V, 10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	9mOhm bei 36A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	3,7V bei 50µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	66 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	2230 pF @ 25 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	83W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 175°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten	TO-220AB
Gehäuse / Hülle	TO-220-3
Basis-Produktnummer	IRF60B217