Name: FQD1N60CTM
Brand: Fairchild Semiconductor
SKU: 2156-FQD1N60CTM-ND
Price: 0.75031 EUR
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

FQD1N60CTM
DigiKey-Teilenr.	2156-FQD1N60CTM-ND
Hersteller	Fairchild Semiconductor
Hersteller-Teilenummer	FQD1N60CTM
Beschreibung	POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 600 V 1 A (Tc) 2,5W (Ta), 28W (Tc) Oberflächenmontage TO-252 (DPAK)
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Fairchild Semiconductor
Serie	QFET®
Verpackung	Lose im Beutel
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	600 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	1 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	11,5Ohm bei 500mA, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	4V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	6.2 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	170 pF @ 25 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	2,5W (Ta), 28W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 150°C (TJ)
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	TO-252 (DPAK)
Gehäuse / Hülle	TO-252-3, DPAK (2 Pins + Lasche), SC-63