FDP8874 onsemi | Diskrete Halbleiterprodukte

FDP8874 ist obsolet und wird nicht mehr hergestellt.

Verfügbare Ersatzkomponenten:

Ähnlich

Rochester Electronics, LLC

Vorrätig: 1.939

Stückpreis : 0,78597 €

Ähnlich

Vishay Siliconix

Vorrätig: 48.314

Stückpreis : 1,54000 €

Ähnlich

Rochester Electronics, LLC

Vorrätig: 26.000

Stückpreis : 1,13144 €

Ähnlich

Infineon Technologies

Vorrätig: 1.870

Stückpreis : 1,21000 €

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

FDP8874
DigiKey-Teilenr.	FDP8874FS-ND
Hersteller	onsemi
Hersteller-Teilenummer	FDP8874
Beschreibung	MOSFET N-CH 30V 16A/114A TO220-3
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 30 V 16 A (Ta), 114 A (Tc) 110W (Tc) Durchkontaktierung TO-220-3
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	onsemi
Serie	PowerTrench®
Verpackung	Stange
Status der Komponente	Obsolet
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	30 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	16 A (Ta), 114 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	4,5V, 10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	5,3mOhm bei 40A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	2,5V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	72 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	3130 pF @ 15 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	110W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 175°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten	TO-220-3
Gehäuse / Hülle	TO-220-3
Basis-Produktnummer	FDP88