TP90H050WS Renesas Electronics Corporation | Diskrete Halbleiterprodukte

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

TP90H050WS
DigiKey-Teilenr.	1707-TP90H050WS-ND
Hersteller	Renesas Electronics Corporation
Hersteller-Teilenummer	TP90H050WS
Beschreibung	GANFET N-CH 900V 34A TO247-3
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 900 V 34 A (Tc) 119W (Tc) Durchkontaktierung TO-247-3
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Renesas Electronics Corporation
Serie	-
Verpackung	Stange
Status der Komponente	Obsolet
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	GaNFET (Kaskoden-Galliumnitrid-FET)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	900 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	34 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	63mOhm bei 22A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	4,4V bei 700µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	17.5 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	980 pF @ 600 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	119W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 150°C
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten	TO-247-3
Gehäuse / Hülle	TO-247-3
Basis-Produktnummer	TP90H050