TP65H035G4WSQA Renesas Electronics Corporation | Diskrete Halbleiterprodukte

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

TP65H035G4WSQA
DigiKey-Teilenr.	1707-TP65H035G4WSQA-ND
Hersteller	Renesas Electronics Corporation
Hersteller-Teilenummer	TP65H035G4WSQA
Beschreibung	650 V 46.5 GAN FET
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 650 V 47,2A (Tc) 187W (Tc) Durchkontaktierung TO-247-3
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Renesas Electronics Corporation
Serie	-
Verpackung	Stange
Status der Komponente	Obsolet
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	GaNFET (Galliumnitrid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	650 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	47,2A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	41 mOhm bei 30A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	4,8V bei 1mA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	22 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	1500 pF @ 400 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	187W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 175°C (TJ)
Klasse	Automobiltechnik
Qualifizierung	AEC-Q101
Montagetyp	Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten	TO-247-3
Gehäuse / Hülle	TO-247-3

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