Name: 2SJ181-90STL
Brand: Renesas Electronics Corporation
SKU: 2156-2SJ181-90STL-ND
Price: 2.06589 EUR
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

2SJ181-90STL
DigiKey-Teilenr.	2156-2SJ181-90STL-ND
Hersteller	Renesas Electronics Corporation
Hersteller-Teilenummer	2SJ181-90STL
Beschreibung	P-CHANNEL POWER MOSFET
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	P-Kanal 600 V 500mA (Ta) 20W (Tc) Oberflächenmontage DPAK-3
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Renesas Electronics Corporation
Serie	-
Verpackung	Lose im Beutel
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	P-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	600 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	500mA (Ta)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	25Ohm bei 300mA, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	4V bei 1mA
Vgs (Max.)	±15V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	220 pF @ 10 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	20W (Tc)
Betriebstemperatur	150°C
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	DPAK-3
Gehäuse / Hülle	TO-252-3, DPAK (2 Pins + Lasche), SC-63