QS1700SCM8
Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

QS1700SCM8

DigiKey-Teilenr.
5403-QS1700SCM8-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
QS1700SCM8
Beschreibung
1700v 8AMP SiC Mosfet
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 1700 V 8A 88W Durchkontaktierung PG-TO247-3
Datenblatt
 Datenblatt
Produkteigenschaften
Typ
Beschreibung
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Kategorie
Herst.
Serie
-
Verpackung
Stange
Status der Komponente
Aktiv
FET-Typ
Technologie
Drain-Source-Spannung (Vdss)
1700 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
20V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
100mOhm bei 2A, 20V
Vgs(th) (max.) bei Id
4V bei 10mA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
16 nC @ 1200 V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
142 pF @ 1000 V
Verlustleistung (max.)
88W
Betriebstemperatur
-55°C bis 175°C
Klasse
Automobiltechnik
Qualifizierung
-
Montagetyp
Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten
PG-TO247-3
Gehäuse / Hülle
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