Name: NXH007F120M3F2PTHG
Brand: onsemi
SKU: 5556-NXH007F120M3F2PTHG-ND
Price: 166.4691 EUR
Availability: InStock

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NXH007F120M3F2PTHG
DigiKey-Teilenr.	5556-NXH007F120M3F2PTHG-ND
Hersteller	onsemi
Hersteller-Teilenummer	NXH007F120M3F2PTHG
Beschreibung	MOSFET 4N-CH 1200V 149A 34PIM
Standardlieferzeit des Herstellers	20 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	MOSFETs - Arrays 1200V (1,2kV) 149 A (Tc) 353W (Tj) Chassisbefestigung 34-PIM (56,7x42,5)
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs FET- und MOSFET-Arrays
Hersteller	onsemi
Serie	-
Verpackung	Tablett
Status der Komponente	Aktiv
Technologie	Siliziumkarbid (SiC)
Konfiguration	4 N-Kanal (Vollbrücke)
FET-Merkmal	-
Drain-Source-Spannung (Vdss)	1200V (1,2kV)
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	149 A (Tc)
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	10mOhm bei 120A, 18V
Vgs(th) (max.) bei Id	4,4V bei 60mA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	407nC bei 18V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	9090pF bei 800V
Leistung - Max.	353W (Tj)
Betriebstemperatur	-40°C bis 175°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Chassisbefestigung
Gehäuse / Hülle	Modul
Gehäusetyp vom Lieferanten	34-PIM (56,7x42,5)
Basis-Produktnummer	NXH007

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