Name: NXH008T120M3F2PTHG
Brand: onsemi
SKU: 5556-NXH008T120M3F2PTHG-ND
Price: 173.978 EUR
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

NXH008T120M3F2PTHG
DigiKey-Teilenr.	5556-NXH008T120M3F2PTHG-ND
Hersteller	onsemi
Hersteller-Teilenummer	NXH008T120M3F2PTHG
Beschreibung	MOSFET 4N-CH 1200V 129A 29PIM
Standardlieferzeit des Herstellers	20 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	MOSFETs - Arrays 1200V (1,2kV) 129 A (Tc) 371W (Tj) Chassisbefestigung 29-PIM (56,7x42,5)
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs FET- und MOSFET-Arrays
Hersteller	onsemi
Serie	-
Verpackung	Tablett
Status der Komponente	Aktiv
Technologie	Siliziumkarbid (SiC)
Konfiguration	4 N-Kanal
FET-Merkmal	-
Drain-Source-Spannung (Vdss)	1200V (1,2kV)
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	129 A (Tc)
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	11,5mOhm bei 100A, 18V
Vgs(th) (max.) bei Id	4,4V bei 60mA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	454nC bei 20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	9129pF bei 800V
Leistung - Max.	371W (Tj)
Betriebstemperatur	-40°C bis 175°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Chassisbefestigung
Gehäuse / Hülle	Modul
Gehäusetyp vom Lieferanten	29-PIM (56,7x42,5)
Basis-Produktnummer	NXH008

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