MOSFETs - Arrays 1200V (1,2kV) 105 A (Tc) 244W (Tj) Chassisbefestigung 34-PIM (56,7x42,5)
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NXH011F120M3F2PTHG

DigiKey-Teilenr.
5556-NXH011F120M3F2PTHG-ND
Hersteller
onsemi
Hersteller-Teilenummer
NXH011F120M3F2PTHG
Beschreibung
MOSFET 4N-CH 1200V 105A 34PIM
Standardlieferzeit des Herstellers
25 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
MOSFETs - Arrays 1200V (1,2kV) 105 A (Tc) 244W (Tj) Chassisbefestigung 34-PIM (56,7x42,5)
Datenblatt
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Produkteigenschaften
Typ
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Kategorie
Hersteller
onsemi
Serie
-
Verpackung
Tablett
Status der Komponente
Aktiv
Technologie
Siliziumkarbid (SiC)
Konfiguration
4 N-Kanal (Vollbrücke)
FET-Merkmal
-
Drain-Source-Spannung (Vdss)
1200V (1,2kV)
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
105 A (Tc)
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
16mOhm bei 100A, 18V
Vgs(th) (max.) bei Id
4,4V bei 60mA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
284nC bei 18V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
6211,6pF bei 800V
Leistung - Max.
244W (Tj)
Betriebstemperatur
-40°C bis 175°C (TJ)
Klasse
-
Qualifizierung
-
Montagetyp
Chassisbefestigung
Gehäuse / Hülle
Modul
Gehäusetyp vom Lieferanten
34-PIM (56,7x42,5)
Basis-Produktnummer
NXH011
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