Name: NVMTS0D7N06CLTXG
Brand: onsemi
SKU: NVMTS0D7N06CLTXGOSTR-ND
Price: 13.3994 EUR
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

NVMTS0D7N06CLTXG
DigiKey-Teilenr.	NVMTS0D7N06CLTXGOSTR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) NVMTS0D7N06CLTXGOSCT-ND - Gurtabschnitt (CT) NVMTS0D7N06CLTXGOSDKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	onsemi
Hersteller-Teilenummer	NVMTS0D7N06CLTXG
Beschreibung	AFSM T6 60V LL NCH
Standardlieferzeit des Herstellers	50 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 60 V 62,2A (Ta), 477A (Tc) 5W (Ta), 294,6W (Tc) Oberflächenmontage 8-DFNW (8,3x8,4)
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Ähnliche Produkte anzeigen

Leere Attribute anzeigen

Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 225 nC @ 10 V
Herst. onsemi	Vgs (Max.) ±20V
Verpackung Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 16200 pF @ 25 V
Status der Komponente Aktiv	Verlustleistung (max.) 5W (Ta), 294,6W (Tc)
FET-Typ N-Kanal	Betriebstemperatur -55°C bis 175°C (TJ)
Technologie MOSFET (Metalloxid)	Klasse Automobiltechnik
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60 V	Qualifizierung AEC-Q101
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 62,2A (Ta), 477A (Tc)	Montagetyp Oberflächenmontage
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 4,5V, 10V	Gehäusetyp vom Lieferanten 8-DFNW (8,3x8,4)
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 0,68mOhm bei 50A, 10V	Gehäuse / Hülle 8-PowerTDFN
Vgs(th) (max.) bei Id 2,5V bei 250µA	Basis-Produktnummer NVMTS0