Name: NVMFWS2D9N04XMT1G
Brand: onsemi
SKU: 488-NVMFWS2D9N04XMT1GTR-ND
Price: 1.7612 EUR
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

NVMFWS2D9N04XMT1G
DigiKey-Teilenr.	488-NVMFWS2D9N04XMT1GTR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 488-NVMFWS2D9N04XMT1GCT-ND - Gurtabschnitt (CT) 488-NVMFWS2D9N04XMT1GDKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	onsemi
Hersteller-Teilenummer	NVMFWS2D9N04XMT1G
Beschreibung	SINGLE N-CHANNEL POWER MOSFET 40
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 40 V 25A (Ta), 94A (Tc) 50W (Tc) Oberflächenmontage, benetzbare Flanke 5-DFNW (4,9x5,9) (8-SOFL-WF)
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	onsemi
Serie	-
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	40 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	25A (Ta), 94A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	3,1mOhm bei 20A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	3,5V bei 40µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	15.7 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	1000 pF @ 25 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	50W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 175°C (TJ)
Klasse	Automobiltechnik
Qualifizierung	AEC-Q101
Montagetyp	Oberflächenmontage, benetzbare Flanke
Gehäusetyp vom Lieferanten	5-DFNW (4,9x5,9) (8-SOFL-WF)
Gehäuse / Hülle	8-PowerTDFN, 5 Anschlüsse
Basis-Produktnummer	NVMFWS