8-PowerTDFN, 5 Anschlüsse Einzelne FETs, MOSFETs

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Herst.-Teilenr.	Verfügbare Menge	Preis	Serie	Verpackung	Produktstatus	FET-Typ	Technologie	Drain-Source-Spannung (Vdss)	Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	Vgs(th) (max.) bei Id	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	Vgs (Max.)	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	FET-Merkmal	Verlustleistung (max.)	Betriebstemperatur	Klasse	Qualifizierung	Montagetyp	Gehäusetyp vom Lieferanten	Gehäuse / Hülle
NTMFS4C029NT1G MOSFET N-CH 30V 15A/46A 5DFN onsemi	12.540 Vorrätig	1 : 0,50000 € Gurtabschnitt (CT) 1.500 : 0,12369 € Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	-	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Aktiv	N-Kanal	MOSFET (Metalloxid)	30 V	15 A (Ta), 46 A (Tc)	4,5V, 10V	5,88mOhm bei 30A, 10V	2,2V bei 250µA	18.6 nC @ 10 V	±20V	987 pF @ 15 V	-	2,49W (Ta), 23,6W (Tc)	-55°C bis 150°C (TJ)	-	-	Oberflächenmontage	5-DFN (5x6) (8-SOFL)	8-PowerTDFN, 5 Anschlüsse
NTMFS5C670NLT1G MOSFET N-CH 60V 17A/71A 5DFN onsemi	32.526 Vorrätig 24.000 Fabrik	1 : 0,85000 € Gurtabschnitt (CT) 1.500 : 0,22996 € Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	-	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Aktiv	N-Kanal	MOSFET (Metalloxid)	60 V	17 A (Ta), 71 A (Tc)	4,5V, 10V	6,1mOhm bei 35A, 10V	2V bei 250µA	20 nC @ 10 V	±20V	1400 pF @ 25 V	-	3,6W (Ta), 61W (Tc)	-55°C bis 175°C (TJ)	-	-	Oberflächenmontage	5-DFN (5x6) (8-SOFL)	8-PowerTDFN, 5 Anschlüsse
NVMFS5C682NLAFT1G MOSFET N-CH 60V 8.8A/25A 5DFN onsemi	4.470 Vorrätig	1 : 1,03000 € Gurtabschnitt (CT) 1.500 : 0,28598 € Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	-	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Aktiv	N-Kanal	MOSFET (Metalloxid)	60 V	8,8 A (Ta), 25 A (Tc)	4,5V, 10V	21mOhm bei 10A, 10V	2V bei 16µA	5 nC @ 10 V	±20V	410 pF @ 25 V	-	3,5W (Ta), 28W (Tc)	-55°C bis 175°C (TJ)	Automobiltechnik	AEC-Q101	Oberflächenmontage	5-DFN (5x6) (8-SOFL)	8-PowerTDFN, 5 Anschlüsse
NTMFS6H848NLT1G MOSFET N-CH 80V 13A/59A 5DFN onsemi	3.030 Vorrätig	1 : 1,35000 € Gurtabschnitt (CT) 1.500 : 0,38853 € Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	-	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Aktiv	N-Kanal	MOSFET (Metalloxid)	80 V	13A (Ta), 59A (Tc)	4,5V, 10V	8,8mOhm bei 10A, 10V	2V bei 70µA	25 nC @ 10 V	±20V	1420 pF @ 40 V	-	3,7W (Ta), 73W (Tc)	-55°C bis 175°C (TJ)	-	-	Oberflächenmontage	5-DFN (5x6) (8-SOFL)	8-PowerTDFN, 5 Anschlüsse
NTMFS5C628NLT1G MOSFET N-CH 60V 5DFN onsemi	5.225 Vorrätig	1 : 1,50000 € Gurtabschnitt (CT) 1.500 : 0,44032 € Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	-	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Aktiv	N-Kanal	MOSFET (Metalloxid)	60 V	28 A (Ta), 150 A (Tc)	4,5V, 10V	2,4mOhm bei 50A, 10V	2V bei 135µA	52 nC @ 10 V	±20V	3600 pF @ 25 V	-	3,7W (Ta), 110W (Tc)	-55°C bis 175°C (TJ)	-	-	Oberflächenmontage	5-DFN (5x6) (8-SOFL)	8-PowerTDFN, 5 Anschlüsse
NVMFS015N10MCLT1G MOSFET N-CH 100V 10.5A/54A 5DFN onsemi	4.455 Vorrätig	1 : 1,57000 € Gurtabschnitt (CT) 1.500 : 0,46278 € Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	-	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Aktiv	N-Kanal	MOSFET (Metalloxid)	100 V	10,5A (Ta), 54A (Tc)	4,5V, 10V	12,2mOhm bei 14A, 10V	2,2V bei 282µA	19 nC @ 10 V	±20V	1338 pF @ 50 V	-	3W (Ta), 79W (Tc)	-55°C bis 175°C (TJ)	Automobiltechnik	AEC-Q101	Oberflächenmontage	5-DFN (5x6) (8-SOFL)	8-PowerTDFN, 5 Anschlüsse
NTMFS3D5N08XT1G T10 80V STD NCH MOSFET SO8FL onsemi	5.311 Vorrätig	1 : 1,84000 € Gurtabschnitt (CT) 1.500 : 0,55889 € Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	-	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Aktiv	N-Kanal	MOSFET (Metalloxid)	80 V	135 A (Tc)	6V, 10V	3mOhm bei 31A, 10V	3,6V bei 153µA	38 nC @ 10 V	±20V	2680 pF @ 40 V	-	119W (Tc)	-55°C bis 175°C (TJ)	-	-	Oberflächenmontage	5-DFN (5x6) (8-SOFL)	8-PowerTDFN, 5 Anschlüsse
NVMFS5C442NLAFT1G MOSFET N-CH 40V 29A/130A 5DFN onsemi	3.193 Vorrätig 4.500 Fabrik	1 : 2,13000 € Gurtabschnitt (CT) 1.500 : 0,66090 € Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	-	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Aktiv	N-Kanal	MOSFET (Metalloxid)	40 V	29 A (Ta), 130 A (Tc)	4,5V, 10V	2,5mOhm bei 50A, 10V	2V bei 250µA	50 nC @ 10 V	±20V	3100 pF @ 25 V	-	3,7W (Ta), 83W (Tc)	-55°C bis 175°C (TJ)	Automobiltechnik	AEC-Q101	Oberflächenmontage	5-DFN (5x6) (8-SOFL)	8-PowerTDFN, 5 Anschlüsse
NVMFS005N10MCLT1G PTNG 100V LL SO8FL onsemi	47.023 Vorrätig	1 : 2,25000 € Gurtabschnitt (CT) 1.500 : 0,70587 € Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	-	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Aktiv	N-Kanal	MOSFET (Metalloxid)	100 V	18,4A (Ta), 108A (Tc)	4,5V, 10V	5,1mOhm bei 34A, 10V	3V bei 192µA	55 nC @ 10 V	±20V	4100 pF @ 50 V	-	3,8W (Ta), 131W (Tc)	-55°C bis 175°C (TJ)	Automobiltechnik	AEC-Q101	Oberflächenmontage	5-DFN (5x6) (8-SOFL)	8-PowerTDFN, 5 Anschlüsse
NTMFS2D5N08XT1G T10 80V STD NCH MOSFET SO8FL onsemi	2.695 Vorrätig	1 : 2,32000 € Gurtabschnitt (CT) 1.500 : 0,73345 € Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	-	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Aktiv	N-Kanal	MOSFET (Metalloxid)	80 V	181 A (Tc)	6V, 10V	2,1mOhm bei 43A, 10V	3,6V bei 213µA	53 nC @ 10 V	±20V	3800 pF @ 40 V	-	148W (Tc)	-55°C bis 175°C (TJ)	-	-	Oberflächenmontage	5-DFN (5x6) (8-SOFL)	8-PowerTDFN, 5 Anschlüsse
NVMFS5113PLT1G MOSFET P-CH 60V 10A/64A 5DFN onsemi	2.044 Vorrätig	1 : 2,99000 € Gurtabschnitt (CT) 1.500 : 0,98707 € Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	-	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Aktiv	P-Kanal	MOSFET (Metalloxid)	60 V	10 A (Ta), 64 A (Tc)	4,5V, 10V	14mOhm bei 17A, 10V	2,5V bei 250µA	83 nC @ 10 V	±20V	4400 pF @ 25 V	-	3,8W (Ta), 150W (Tc)	-55°C bis 175°C (TJ)	Automobiltechnik	AEC-Q101	Oberflächenmontage	5-DFN (5x6) (8-SOFL)	8-PowerTDFN, 5 Anschlüsse
NVMFS3D0P04M8LT1G MV8 P INITIAL PROGRAM onsemi	14.505 Vorrätig	1 : 3,06000 € Gurtabschnitt (CT) 1.500 : 1,01729 € Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	-	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Aktiv	P-Kanal	MOSFET (Metalloxid)	40 V	28A (Ta), 183A (Tc)	4,5V, 10V	2,7mOhm bei 30A,10V	2,4V bei 2mA	124 nC @ 10 V	±20V	5827 pF @ 20 V	-	3,9W (Ta), 171W (Tc)	-55°C bis 175°C (TJ)	Automobiltechnik	AEC-Q101	Oberflächenmontage	5-DFN (5x6) (8-SOFL)	8-PowerTDFN, 5 Anschlüsse
NTMFWS1D5N08XT1G MOSFET - POWER, SINGLE, N-CHANNE onsemi	4.299 Vorrätig	1 : 3,06000 € Gurtabschnitt (CT) 1.500 : 1,01813 € Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	-	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Aktiv	N-Kanal	MOSFET (Metalloxid)	80 V	253A (Tc)	6V, 10V	1,43mOhm bei 50A, 10V	3,6V bei 330µA	83 nC @ 10 V	±20V	5880 pF @ 40 V	-	194W (Tc)	-55°C bis 175°C (TJ)	-	-	Oberflächenmontage, benetzbare Flanke	5-DFNW (4,9x5,9) (8-SOFL-WF)	8-PowerTDFN, 5 Anschlüsse
NVMFS5C404NLAFT1G MOSFET N-CH 40V 370A 5DFN onsemi	9.821 Vorrätig	1 : 4,24000 € Gurtabschnitt (CT) 1.500 : 1,55177 € Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	-	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Aktiv	N-Kanal	MOSFET (Metalloxid)	40 V	370 A (Tc)	4,5V, 10V	0,67mOhm bei 50A, 10V	2V bei 250µA	81 nC @ 4.5 V	±20V	12168 pF @ 25 V	-	200W (Tc)	-55°C bis 175°C (TJ)	Automobiltechnik	AEC-Q101	Oberflächenmontage	5-DFN (5x6) (8-SOFL)	8-PowerTDFN, 5 Anschlüsse
NVMFS6H800NT1G MOSFET N-CH 80V 28A/203A 5DFN onsemi	5.606 Vorrätig 222.000 Fabrik	1 : 5,02000 € Gurtabschnitt (CT) 1.500 : 1,95167 € Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	-	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Aktiv	N-Kanal	MOSFET (Metalloxid)	80 V	28 A (Ta), 203 A (Tc)	10V	2,1mOhm bei 50A, 10V	4V bei 330µA	85 nC @ 10 V	±20V	5530 pF @ 40 V	-	3,8W (Ta), 200W (Tc)	-55°C bis 175°C (TJ)	Automobiltechnik	AEC-Q101	Oberflächenmontage	5-DFN (5x6) (8-SOFL)	8-PowerTDFN, 5 Anschlüsse
NVMFS5C604NLAFT1G MOSFET N-CH 60V 287A 5DFN onsemi	5.119 Vorrätig 211.500 Fabrik	1 : 5,71000 € Gurtabschnitt (CT) 1.500 : 2,31874 € Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	-	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Aktiv	N-Kanal	MOSFET (Metalloxid)	60 V	287 A (Tc)	4,5V, 10V	1,2mOhm bei 50A, 10V	2V bei 250µA	52 nC @ 4.5 V	±20V	8900 pF @ 25 V	-	200W (Tc)	-55°C bis 175°C (TJ)	Automobiltechnik	AEC-Q101	Oberflächenmontage	5-DFN (5x6) (8-SOFL)	8-PowerTDFN, 5 Anschlüsse
NTMFS4C09NT1G MOSFET N-CH 30V 9A 5DFN onsemi	5.176 Vorrätig	1 : 0,57000 € Gurtabschnitt (CT) 1.500 : 0,14523 € Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	-	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Aktiv	N-Kanal	MOSFET (Metalloxid)	30 V	9 A (Ta)	4,5V, 10V	5,8mOhm bei 30A, 10V	2,1V bei 250µA	10.9 nC @ 4.5 V	±20V	1252 pF @ 15 V	-	760mW (Ta), 25,5W (Tc)	-55°C bis 150°C (TJ)	-	-	Oberflächenmontage	5-DFN (5x6) (8-SOFL)	8-PowerTDFN, 5 Anschlüsse
NTMFS5C673NLT1G MOSFET N-CH 60V 5DFN onsemi	3.769 Vorrätig	1 : 0,73000 € Gurtabschnitt (CT) 1.500 : 0,19185 € Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	-	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Aktiv	N-Kanal	MOSFET (Metalloxid)	60 V	50 A (Tc)	4,5V, 10V	9,2mOhm bei 25A, 10V	2V bei 35µA	9.5 nC @ 10 V	±20V	880 pF @ 25 V	-	3,6W (Ta), 46W (Tc)	-55°C bis 175°C (TJ)	-	-	Oberflächenmontage	5-DFN (5x6) (8-SOFL)	8-PowerTDFN, 5 Anschlüsse
NTMFS4C55NT1G MOSFET N-CH 30V 78A SO8FL onsemi	1.907 Vorrätig	1 : 0,79000 € Gurtabschnitt (CT) 1.500 : 0,17645 € Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	-	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Aktiv	N-Kanal	MOSFET (Metalloxid)	30 V	11,9 A (Ta), 78 A (Tc)	4,5V, 10V	3,4mOhm bei 30A, 10V	2,2V bei 250µA	30 nC @ 10 V	±20V	1972 pF @ 15 V	-	770mW (Ta), 33W (Tc)	-55°C bis 150°C (TJ)	-	-	Oberflächenmontage	5-DFN (5x6) (8-SOFL)	8-PowerTDFN, 5 Anschlüsse
NTMFS5C670NLT3G MOSFET N-CH 60V 17A/71A 5DFN onsemi	2.984 Vorrätig	1 : 0,84000 € Gurtabschnitt (CT) 5.000 : 0,19452 € Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	-	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Aktiv	N-Kanal	MOSFET (Metalloxid)	60 V	17 A (Ta), 71 A (Tc)	4,5V, 10V	6,1mOhm bei 35A, 10V	2V bei 250µA	20 nC @ 10 V	±20V	1400 pF @ 25 V	-	3,6W (Ta), 61W (Tc)	-55°C bis 175°C (TJ)	-	-	Oberflächenmontage	5-DFN (5x6) (8-SOFL)	8-PowerTDFN, 5 Anschlüsse
NVMFS040N10MCLT1G PTNG 100V LL SO8FL onsemi	0 Vorrätig 3.000 Marktplatz Informationen zur Lieferzeit	1 : 0,93000 € Gurtabschnitt (CT) 1.500 : 0,25171 € Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	-	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Aktiv	N-Kanal	MOSFET (Metalloxid)	100 V	6,5A (Ta), 21A (Tc)	4,5V, 10V	38mOhm bei 5A, 10V	3V bei 26µA	8.3 nC @ 10 V	±20V	500 pF @ 50 V	-	3,5W (Ta), 36W (Tc)	-55°C bis 175°C (TJ)	Automobiltechnik	AEC-Q101	Oberflächenmontage	5-DFN (5x6) (8-SOFL)	8-PowerTDFN, 5 Anschlüsse
NTMFS5C460NLT1G MOSFET N-CH 40V 5DFN onsemi	1.975 Vorrätig	1 : 0,93000 € Gurtabschnitt (CT) 1.500 : 0,25393 € Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	-	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Aktiv	N-Kanal	MOSFET (Metalloxid)	40 V	78 A (Tc)	4,5V, 10V	4,5mOhm bei 35A, 10V	2V bei 250µA	23 nC @ 10 V	±20V	1300 pF @ 20 V	-	3,6W (Ta), 50W (Tc)	-55°C bis 175°C (TJ)	-	-	Oberflächenmontage	5-DFN (5x6) (8-SOFL)	8-PowerTDFN, 5 Anschlüsse
NTMFS4C022NT1G MOSFET N-CH 30V 30A/136A 5DFN onsemi	1.855 Vorrätig	1 : 0,93000 € Gurtabschnitt (CT) 1.500 : 0,25308 € Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	-	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Aktiv	N-Kanal	MOSFET (Metalloxid)	30 V	30 A (Ta), 136 A (Tc)	4,5V, 10V	1,7mOhm bei 30A, 10V	2,2V bei 250µA	45.2 nC @ 10 V	±20V	3071 pF @ 15 V	-	3,1W (Ta), 64W (Tc)	-55°C bis 150°C (TJ)	-	-	Oberflächenmontage	5-DFN (5x6) (8-SOFL)	8-PowerTDFN, 5 Anschlüsse
NVMFS9D6P04M8LT1G MV8 P-CH 40V SO-8FL PORTFOLIO EX onsemi	4.460 Vorrätig	1 : 1,00000 € Gurtabschnitt (CT) 1.500 : 0,49656 € Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	-	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Aktiv	P-Kanal	MOSFET (Metalloxid)	40 V	17,1A (Ta), 77A (Tc)	4,5V, 10V	9,5mOhm bei 20A, 10V	2,4V bei 580µA	14.47 nC @ 10 V	±20V	2002 pF @ 20 V	-	3,7W (Ta), 75W (Tc)	-55°C bis 175°C (TJ)	Automobiltechnik	AEC-Q101	Oberflächenmontage	5-DFN (5x6) (8-SOFL)	8-PowerTDFN, 5 Anschlüsse
NVMFS6H858NLT1G MOSFET N-CH 80V 8.7A/30A 5DFN onsemi	4.097 Vorrätig	1 : 1,01000 € Gurtabschnitt (CT) 1.500 : 0,27874 € Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	-	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Aktiv	N-Kanal	MOSFET (Metalloxid)	80 V	8,7A (Ta), 30A (Tc)	4,5V, 10V	19,5mOhm bei 5A, 10V	2V bei 30µA	12 nC @ 10 V	±20V	623 pF @ 40 V	-	3,5W (Ta), 42W (Tc)	-55°C bis 175°C (TJ)	Automobiltechnik	AEC-Q101	Oberflächenmontage	5-DFN (5x6) (8-SOFL)	8-PowerTDFN, 5 Anschlüsse

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FETs, MOSFETs

Feldeffekttransistoren (FETs) und Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistoren (MOSFETs) sind Transistortypen, die zur Verstärkung oder zum Schalten von elektronischen Signalen verwendet werden.

Ein einzelner FET arbeitet, indem er den Stromfluss zwischen Source- und Drain-Anschluss durch ein elektrisches Feld steuert, das durch eine an den Gate-Anschluss angelegte Spannung erzeugt wird. Der Hauptvorteil von FETs ist ihre hohe Eingangsimpedanz, die sie ideal für den Einsatz in Signalverstärkern und analogen Schaltungen macht. Sie werden häufig in Anwendungen wie Verstärkern, Oszillatoren und Pufferstufen in elektronischen Schaltungen eingesetzt.

MOSFETs, eine Unterart der FETs, haben einen Gate-Anschluss, der durch eine dünne Oxidschicht vom Kanal isoliert ist, was ihre Leistung erhöht und sie sehr effizient macht. MOSFETs können in zwei Typen eingeteilt werden:

n-Kanal-MOSFETs, bei denen Elektronen die primären Ladungsträger sind.
p-Kanal-MOSFETs, bei denen Löcher die primären Ladungsträger sind.

MOSFETs werden aufgrund ihres geringen Stromverbrauchs, ihrer hohen Schaltgeschwindigkeit und ihrer Fähigkeit, große Ströme und Spannungen zu verarbeiten, in vielen Anwendungen bevorzugt. Sie sind von entscheidender Bedeutung für digitale und analoge Schaltungen, einschließlich Stromversorgungen, Motortreiber und Hochfrequenzanwendungen.

Der Betrieb von MOSFETs kann in zwei Modi unterteilt werden:

Anreicherungsmodus: In diesem Modus ist der MOSFET normalerweise ausgeschaltet, wenn die Gate-Source-Spannung Null ist. Er benötigt eine positive Gate-Source-Spannung (für n-Kanal) oder eine negative Gate-Source-Spannung (für p-Kanal), um sich einzuschalten.
Verarmungsmodus: In diesem Modus ist der MOSFET normalerweise eingeschaltet, wenn die Gate-Source-Spannung Null ist. Durch Anlegen einer Gate-Source-Spannung mit entgegengesetzter Polarität kann er ausgeschaltet werden.

MOSFETs bieten mehrere Vorteile, wie zum Beispiel:

Hoher Wirkungsgrad: Sie verbrauchen sehr wenig Strom und können schnell zwischen verschiedenen Zuständen wechseln, was sie für Energiemanagement-Anwendungen sehr effizient macht.
Niedriger Einschalt-Widerstand: Im eingeschalteten Zustand haben sie einen geringen Widerstand, was den Leistungsverlust und die Wärmeentwicklung minimiert.
Hohe Eingangsimpedanz: Die isolierte Gate-Struktur führt zu einer extrem hohen Eingangsimpedanz, wodurch sie sich ideal für hochohmige Signalverstärkung eignen.

Zusammenfassend lässt sich sagen, dass einzelne FETs, insbesondere MOSFETs, grundlegende Komponenten in der modernen Elektronik sind. Sie sind bekannt für ihre Effizienz, Geschwindigkeit und Vielseitigkeit in einer Vielzahl von Anwendungen, die von der Signalverstärkung mit geringem Stromverbrauch bis hin zum Schalten und Steuern mit hohem Stromverbrauch reichen.

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