Name: NVMFS6H864NWFT1G
Brand: onsemi
SKU: 488-NVMFS6H864NWFT1GTR-ND
Price: 1.5946 EUR
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

NVMFS6H864NWFT1G
DigiKey-Teilenr.	488-NVMFS6H864NWFT1GTR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 488-NVMFS6H864NWFT1GCT-ND - Gurtabschnitt (CT) 488-NVMFS6H864NWFT1GDKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	onsemi
Hersteller-Teilenummer	NVMFS6H864NWFT1G
Beschreibung	MOSFET N-CH 80V 6.7A/21A 5DFN
Standardlieferzeit des Herstellers	19 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 80 V 6,7A (Ta), 21A (Tc) 3,5W (Ta), 33W (Tc) Oberflächenmontage, benetzbare Flanke 5-DFNW (4,9x5,9) (8-SOFL-WF)
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	onsemi
Serie	-
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	80 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	6,7A (Ta), 21A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	32mOhm bei 5A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	4V bei 20µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	6.9 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	370 pF @ 40 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	3,5W (Ta), 33W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 175°C (TJ)
Klasse	Automobiltechnik
Qualifizierung	AEC-Q101
Montagetyp	Oberflächenmontage, benetzbare Flanke
Gehäusetyp vom Lieferanten	5-DFNW (4,9x5,9) (8-SOFL-WF)
Gehäuse / Hülle	8-PowerTDFN, 5 Anschlüsse
Basis-Produktnummer	NVMFS6