Name: NVMFS5C638NLT1G
Brand: onsemi
SKU: NVMFS5C638NLT1GOSTR-ND
Price: 3.213 EUR
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

NVMFS5C638NLT1G
DigiKey-Teilenr.	NVMFS5C638NLT1GOSTR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) NVMFS5C638NLT1GOSCT-ND - Gurtabschnitt (CT) NVMFS5C638NLT1GOSDKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	onsemi
Hersteller-Teilenummer	NVMFS5C638NLT1G
Beschreibung	MOSFET N-CH 60V 26A/133A 5DFN
Standardlieferzeit des Herstellers	19 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 60 V 26 A (Ta), 133 A (Tc) 4W (Ta), 100W (Tc) Oberflächenmontage 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	NVMFS5C638NLT1G Modelle

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	onsemi
Serie	-
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	60 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	26 A (Ta), 133 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	4,5V, 10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	3mOhm bei 50A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	2V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	40.7 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	2880 pF @ 25 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	4W (Ta), 100W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 175°C (TJ)
Klasse	Automobiltechnik
Qualifizierung	AEC-Q101
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Gehäuse / Hülle	8-PowerTDFN, 5 Anschlüsse
Basis-Produktnummer	NVMFS5