Name: NVH4L022N120M3S
Brand: onsemi
SKU: 5556-NVH4L022N120M3S-ND
Price: 45.5056 EUR
Availability: InStock

N-Kanal 1200 V 68 A (Tc) 352W (Tc) Durchkontaktierung TO-247-4L

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NVH4L022N120M3S
DigiKey-Teilenr.	5556-NVH4L022N120M3S-ND
Hersteller	onsemi
Hersteller-Teilenummer	NVH4L022N120M3S
Beschreibung	SIC MOS TO247-4L 22MOHM 1200V
Standardlieferzeit des Herstellers	20 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 1200 V 68 A (Tc) 352W (Tc) Durchkontaktierung TO-247-4L
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	NVH4L022N120M3S Modelle

Produkteigenschaften

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Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 151 nC @ 18 V
Herst. onsemi	Vgs (Max.) +22V, -10V
Verpackung Stange	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 3175 pF @ 800 V
Status der Komponente Aktiv	Verlustleistung (max.) 352W (Tc)
FET-Typ N-Kanal	Betriebstemperatur -55°C bis 175°C (TJ)
Technologie SiCFET (Siliziumkarbid)	Klasse Automobiltechnik
Drain-Source-Spannung (Vdss) 1200 V	Qualifizierung AEC-Q101
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 68 A (Tc)	Montagetyp Durchkontaktierung
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 18V	Gehäusetyp vom Lieferanten TO-247-4L
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 30mOhm bei 40A, 18V	Gehäuse / Hülle TO-247-4
Vgs(th) (max.) bei Id 4,4V bei 20mA

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1	38,24000 €	38,24 €
30	25,65067 €	769,52 €
120	24,47208 €	2.936,65 €

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