Name: NTMTS1D5N08MC
Brand: onsemi
SKU: 488-NTMTS1D5N08MCTR-ND
Price: 8.4609 EUR
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

NTMTS1D5N08MC
DigiKey-Teilenr.	488-NTMTS1D5N08MCTR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 488-NTMTS1D5N08MCCT-ND - Gurtabschnitt (CT) 488-NTMTS1D5N08MCDKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	onsemi
Hersteller-Teilenummer	NTMTS1D5N08MC
Beschreibung	PTNG 80V IN CEBU PQFN88
Standardlieferzeit des Herstellers	27 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 80 V 33A (Ta), 287A (Tc) 3,3W (Ta) Oberflächenmontage 8-DFNW (8,3x8,4)
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	onsemi
Serie	-
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	80 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	33A (Ta), 287A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	6V, 10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	1,56mOhm bei 80A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	4V bei 650µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	140 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	10400 pF @ 40 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	3,3W (Ta)
Betriebstemperatur	-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	8-DFNW (8,3x8,4)
Gehäuse / Hülle	8-PowerTDFN
Basis-Produktnummer	NTMTS1D