Name: NTMFS0D8N02P1ET1G
Brand: onsemi
SKU: 488-NTMFS0D8N02P1ET1GTR-ND
Price: 2.5585 EUR
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

NTMFS0D8N02P1ET1G
DigiKey-Teilenr.	488-NTMFS0D8N02P1ET1GTR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 488-NTMFS0D8N02P1ET1GCT-ND - Gurtabschnitt (CT) 488-NTMFS0D8N02P1ET1GDKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	onsemi
Hersteller-Teilenummer	NTMFS0D8N02P1ET1G
Beschreibung	MOSFET N-CH 25V 55A/365A 5DFN
Standardlieferzeit des Herstellers	17 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 25 V 55A (Ta), 365A (Tc) 3,2W (Ta), 139W (Tc) Oberflächenmontage 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	onsemi
Serie	-
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	25 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	55A (Ta), 365A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	4,5V, 10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	0,68mOhm bei 46A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	2V bei 2mA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	52 nC @ 4.5 V
Vgs (Max.)	+16V, -12V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	8600 pF @ 13 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	3,2W (Ta), 139W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Gehäuse / Hülle	8-PowerTDFN, 5 Anschlüsse
Basis-Produktnummer	NTMFS0