NTHL080N120SC1 onsemi | Diskrete Halbleiterprodukte

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

NTHL080N120SC1
DigiKey-Teilenr.	NTHL080N120SC1OS-ND
Hersteller	onsemi
Hersteller-Teilenummer	NTHL080N120SC1
Beschreibung	SICFET N-CH 1200V 44A TO247-3
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 1200 V 44 A (Tc) 348W (Tc) Durchkontaktierung TO-247-3
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	NTHL080N120SC1 Modelle

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	onsemi
Serie	-
Verpackung	Stange
Status der Komponente	Obsolet
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	SiCFET (Siliziumkarbid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	1200 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	44 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	20V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	110mOhm bei 20A, 20V
Vgs(th) (max.) bei Id	4,3V bei 5mA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	56 nC @ 20 V
Vgs (Max.)	+25V, -15V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	1670 pF @ 800 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	348W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten	TO-247-3
Gehäuse / Hülle	TO-247-3
Basis-Produktnummer	NTHL080