Name: NTH4L160N120SC1
Brand: onsemi
SKU: 5556-NTH4L160N120SC1-ND
Price: 10.4958 EUR
Availability: InStock

N-Kanal 1200 V 17,3 A (Tc) 111W (Tc) Durchkontaktierung TO-247-4L

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

NTH4L160N120SC1
DigiKey-Teilenr.	5556-NTH4L160N120SC1-ND
Hersteller	onsemi
Hersteller-Teilenummer	NTH4L160N120SC1
Beschreibung	SICFET N-CH 1200V 17.3A TO247
Standardlieferzeit des Herstellers	15 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 1200 V 17,3 A (Tc) 111W (Tc) Durchkontaktierung TO-247-4L
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Ähnliche Produkte anzeigen

Leere Attribute anzeigen

Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Vgs(th) (max.) bei Id 4,3V bei 2,5mA
Herst. onsemi	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 34 nC @ 20 V
Verpackung Stange	Vgs (Max.) +25V, -15V
Status der Komponente Aktiv	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 665 pF @ 800 V
FET-Typ N-Kanal	Verlustleistung (max.) 111W (Tc)
Technologie SiCFET (Siliziumkarbid)	Betriebstemperatur -55°C bis 175°C (TJ)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 1200 V	Montagetyp Durchkontaktierung
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 17,3 A (Tc)	Gehäusetyp vom Lieferanten TO-247-4L
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 20V	Gehäuse / Hülle TO-247-4
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 224mOhm bei 12A, 20V	Basis-Produktnummer NTH4L160

Fehlerhafte Produktinformationen melden

Dokumente und Medien

Umwelt- und Exportklassifikationen

Zusätzliche Ressourcen

Auf Lager: 191

Bestand des Herstellers: 3.600

Auf zusätzliche eingehende Bestände prüfen

Menge

Alle Preise in EUR

Stange

Menge	Stückpreis	Gesamtpreis
1	8,82000 €	8,82 €
30	5,20300 €	156,09 €
120	4,40967 €	529,16 €
510	3,82861 €	1.952,59 €
1.020	3,75549 €	3.830,60 €

Standardverpackung des Herstellers

Hinweis: Aufgrund der Mehrwertdienste von DigiKey kann sich die Verpackungsart ändern, wenn das Produkt in Mengen unterhalb der Standardverpackungsmenge gekauft wird.