Name: NTH4L080N120SC1
Brand: onsemi
SKU: 5556-NTH4L080N120SC1-ND
Price: 12.0904 EUR
Availability: InStock

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NTH4L080N120SC1
DigiKey-Teilenr.	5556-NTH4L080N120SC1-ND
Hersteller	onsemi
Hersteller-Teilenummer	NTH4L080N120SC1
Beschreibung	SICFET N-CH 1200V 29A TO247-4
Standardlieferzeit des Herstellers	15 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 1200 V 29 A (Tc) 170W (Tc) Durchkontaktierung TO-247-4L
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	onsemi
Serie	-
Verpackung	Stange
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	SiCFET (Siliziumkarbid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	1200 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	29 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	20V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	110mOhm bei 20A, 20V
Vgs(th) (max.) bei Id	4,3V bei 5mA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	56 nC @ 20 V
Vgs (Max.)	+25V, -15V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	1670 pF @ 800 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	170W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 175°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten	TO-247-4L
Gehäuse / Hülle	TO-247-4
Basis-Produktnummer	NTH4L080

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Menge	Stückpreis	Gesamtpreis
1	10,16000 €	10,16 €
30	6,01267 €	180,38 €
120	5,39100 €	646,92 €
510	5,12792 €	2.615,24 €

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