Name: NTH4L025N065SC1
Brand: onsemi
SKU: 5556-NTH4L025N065SC1-ND
Price: 21.3129 EUR
Availability: InStock

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NTH4L025N065SC1
DigiKey-Teilenr.	5556-NTH4L025N065SC1-ND
Hersteller	onsemi
Hersteller-Teilenummer	NTH4L025N065SC1
Beschreibung	SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET - 1
Standardlieferzeit des Herstellers	17 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 650 V 99 A (Tc) 348W (Tc) Durchkontaktierung TO-247-4L
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	NTH4L025N065SC1 Modelle

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	onsemi
Serie	-
Verpackung	Stange
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	SiCFET (Siliziumkarbid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	650 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	99 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	15V, 18V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	28,5mOhm bei 45A, 18V
Vgs(th) (max.) bei Id	4,3V bei 15,5mA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	164 nC @ 18 V
Vgs (Max.)	+22V, -8V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	3480 pF @ 15 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	348W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 175°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten	TO-247-4L
Gehäuse / Hülle	TO-247-4

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10	12,85200 €	128,52 €
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