N-Kanal 1000 V 8 A (Tc) 225W (Tc) Durchkontaktierung TO-247-3
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FQH8N100C

DigiKey-Teilenr.
FQH8N100C-ND
Hersteller
onsemi
Hersteller-Teilenummer
FQH8N100C
Beschreibung
MOSFET N-CH 1000V 8A TO247-3
Standardlieferzeit des Herstellers
8 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 1000 V 8 A (Tc) 225W (Tc) Durchkontaktierung TO-247-3
Datenblatt
 Datenblatt
Produkteigenschaften
Typ
Beschreibung
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Kategorie
Herst.
onsemi
Serie
QFET®
Verpackung
Stange
Status der Komponente
Aktiv
FET-Typ
N-Kanal
Technologie
MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
1000 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
8 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
1,45Ohm bei 4A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id
5V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
70 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
3220 pF @ 25 V
FET-Merkmal
-
Verlustleistung (max.)
225W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse
-
Qualifizierung
-
Montagetyp
Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-247-3
Gehäuse / Hülle
TO-247-3
Basis-Produktnummer
FQH8N100
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