N-Kanal 1000 V 8 A (Tc) 225W (Tc) Durchkontaktierung TO-247-3
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FQH8N100C

DigiKey-Teilenr.
FQH8N100C-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
FQH8N100C
Beschreibung
MOSFET N-CH 1000V 8A TO247-3
Standardlieferzeit des Herstellers
11 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 1000 V 8 A (Tc) 225W (Tc) Durchkontaktierung TO-247-3
Datenblatt
 Datenblatt
Produkteigenschaften
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Kategorie
Vgs(th) (max.) bei Id
5V bei 250µA
Herst.
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
70 nC @ 10 V
Serie
Vgs (Max.)
±30V
Verpackung
Stange
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
3220 pF @ 25 V
Status der Komponente
Aktiv
Verlustleistung (max.)
225W (Tc)
FET-Typ
Betriebstemperatur
-55°C bis 150°C (TJ)
Technologie
Montagetyp
Durchkontaktierung
Drain-Source-Spannung (Vdss)
1000 V
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-247-3
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Gehäuse / Hülle
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Basis-Produktnummer
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
1,45Ohm bei 4A, 10V
Umwelt- und Exportklassifikationen
Fragen und Antworten zum Produkt
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Stange
Menge Stückpreis Gesamtpreis
15,20000 €5,20 €
302,95233 €88,57 €
1202,45817 €294,98 €
5102,09606 €1.068,99 €
1.0202,03795 €2.078,71 €
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