Name: FQD1N80TM
Brand: onsemi
SKU: FQD1N80TMTR-ND
Price: 1.6184 EUR
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

FQD1N80TM
DigiKey-Teilenr.	FQD1N80TMTR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) FQD1N80TMCT-ND - Gurtabschnitt (CT) FQD1N80TMDKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	onsemi
Hersteller-Teilenummer	FQD1N80TM
Beschreibung	MOSFET N-CH 800V 1A DPAK
Standardlieferzeit des Herstellers	8 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 800 V 1 A (Tc) 2,5W (Ta), 45W (Tc) Oberflächenmontage TO-252AA
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	onsemi
Serie	QFET®
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	800 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	1 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	20Ohm bei 500mA, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	5V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	7.2 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	195 pF @ 25 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	2,5W (Ta), 45W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	TO-252AA
Gehäuse / Hülle	TO-252-3, DPAK (2 Pins + Lasche), SC-63
Basis-Produktnummer	FQD1N80