Name: FQD11P06TM
Brand: onsemi
SKU: FQD11P06TMTR-ND
Price: 1.8088 EUR
Availability: InStock

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FQD11P06TM
DigiKey-Teilenr.	FQD11P06TMTR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) FQD11P06TMCT-ND - Gurtabschnitt (CT) FQD11P06TMDKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	onsemi
Hersteller-Teilenummer	FQD11P06TM
Beschreibung	MOSFET P-CH 60V 9.4A DPAK
Standardlieferzeit des Herstellers	13 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	P-Kanal 60 V 9,4 A (Tc) 2,5W (Ta), 38W (Tc) Oberflächenmontage TO-252AA
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	FQD11P06TM Modelle

Produkteigenschaften

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Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Vgs(th) (max.) bei Id 4V bei 250µA
Herst. onsemi	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 17 nC @ 10 V
Serie QFET®	Vgs (Max.) ±30V
Verpackung Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 550 pF @ 25 V
Status der Komponente Aktiv	Verlustleistung (max.) 2,5W (Ta), 38W (Tc)
FET-Typ P-Kanal	Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ)
Technologie MOSFET (Metalloxid)	Montagetyp Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60 V	Gehäusetyp vom Lieferanten TO-252AA
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 9,4 A (Tc)	Gehäuse / Hülle TO-252-3, DPAK (2 Pins + Lasche), SC-63
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 10V	Basis-Produktnummer FQD11P06
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 185mOhm bei 4,7A, 10V