N-Kanal 200 V 61 A (Tc) 417W (Tc) Durchkontaktierung TO-220-3
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FDP61N20

DigiKey-Teilenr.
FDP61N20-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
FDP61N20
Beschreibung
MOSFET N-CH 200V 61A TO220-3
Standardlieferzeit des Herstellers
18 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 200 V 61 A (Tc) 417W (Tc) Durchkontaktierung TO-220-3
Datenblatt
 Datenblatt
Produkteigenschaften
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Kategorie
Vgs(th) (max.) bei Id
5V bei 250µA
Herst.
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
75 nC @ 10 V
Serie
Vgs (Max.)
±30V
Verpackung
Stange
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
3380 pF @ 25 V
Status der Komponente
Aktiv
Verlustleistung (max.)
417W (Tc)
FET-Typ
Betriebstemperatur
-55°C bis 150°C (TJ)
Technologie
Montagetyp
Durchkontaktierung
Drain-Source-Spannung (Vdss)
200 V
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-220-3
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Gehäuse / Hülle
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Basis-Produktnummer
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
41mOhm bei 30,5A, 10V
Umwelt- und Exportklassifikationen
Fragen und Antworten zum Produkt
Zusätzliche Ressourcen
Auf Lager: 2.118
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Alle Preise in EUR
Stange
Menge Stückpreis Gesamtpreis
13,11000 €3,11 €
501,57300 €78,65 €
1001,42380 €142,38 €
5001,16226 €581,13 €
1.0001,07823 €1.078,23 €
2.0001,02158 €2.043,16 €
Standardverpackung des Herstellers
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