N-Kanal 500 V 22 A (Tc) 312,5W (Tc) Durchkontaktierung TO-220-3
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FDP22N50N

DigiKey-Teilenr.
FDP22N50N-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
FDP22N50N
Beschreibung
MOSFET N-CH 500V 22A TO220-3
Standardlieferzeit des Herstellers
16 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 500 V 22 A (Tc) 312,5W (Tc) Durchkontaktierung TO-220-3
Datenblatt
 Datenblatt
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FDP22N50N Modelle
Produkteigenschaften
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Kategorie
Vgs(th) (max.) bei Id
5V bei 250µA
Herst.
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
65 nC @ 10 V
Serie
Vgs (Max.)
±30V
Verpackung
Stange
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
3200 pF @ 25 V
Status der Komponente
Aktiv
Verlustleistung (max.)
312,5W (Tc)
FET-Typ
Betriebstemperatur
-55°C bis 150°C (TJ)
Technologie
Montagetyp
Durchkontaktierung
Drain-Source-Spannung (Vdss)
500 V
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-220-3
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Gehäuse / Hülle
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Basis-Produktnummer
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
220mOhm bei 11A, 10V
Umwelt- und Exportklassifikationen
Fragen und Antworten zum Produkt
Zusätzliche Ressourcen
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Stange
Menge Stückpreis Gesamtpreis
14,21000 €4,21 €
502,18300 €109,15 €
1001,98730 €198,73 €
5001,64460 €822,30 €
1.0001,53482 €1.534,82 €
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