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N-Kanal 500 V 11,5 A (Tc) 165W (Tc) Durchkontaktierung TO-220-3
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FDP12N50

DigiKey-Teilenr.
FDP12N50-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
FDP12N50
Beschreibung
MOSFET N-CH 500V 11.5A TO220-3
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 500 V 11,5 A (Tc) 165W (Tc) Durchkontaktierung TO-220-3
Datenblatt
 Datenblatt
EDA/CAD-Modelle
FDP12N50 Modelle
Produkteigenschaften
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Kategorie
Vgs(th) (max.) bei Id
5V bei 250µA
Herst.
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
30 nC @ 10 V
Serie
Vgs (Max.)
±30V
Verpackung
Stange
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
1315 pF @ 25 V
Status der Komponente
Obsolet
Verlustleistung (max.)
165W (Tc)
FET-Typ
Betriebstemperatur
-55°C bis 150°C (TJ)
Technologie
Montagetyp
Durchkontaktierung
Drain-Source-Spannung (Vdss)
500 V
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-220-3
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Gehäuse / Hülle
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Basis-Produktnummer
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
650mOhm bei 6A, 10V
Umwelt- und Exportklassifikationen
Fragen und Antworten zum Produkt
Zusätzliche Ressourcen
Ersatzartikel (4)
TeilenummerHersteller Verfügbare MengeDigiKey-Teilenr. Stückpreis Typ des Ersatzartikels
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Obsolet
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