N-Kanal 75 V 164 A (Tc) 268W (Tc) Durchkontaktierung TO-220-3
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FDP047N08-F102

DigiKey-Teilenr.
FDP047N08-F102-ND
Hersteller
onsemi
Hersteller-Teilenummer
FDP047N08-F102
Beschreibung
MOSFET N-CH 75V 164A TO220-3
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 75 V 164 A (Tc) 268W (Tc) Durchkontaktierung TO-220-3
Datenblatt
 Datenblatt
EDA/CAD-Modelle
FDP047N08-F102 Modelle
Produkteigenschaften
Typ
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Kategorie
Herst.
onsemi
Serie
-
Verpackung
Stange
Status der Komponente
Obsolet
FET-Typ
N-Kanal
Technologie
MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
75 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
164 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
4,7mOhm bei 80A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id
4,5V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
152 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
9415 pF @ 25 V
FET-Merkmal
-
Verlustleistung (max.)
268W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C bis 175°C (TJ)
Klasse
-
Qualifizierung
-
Montagetyp
Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-220-3
Gehäuse / Hülle
TO-220-3
Basis-Produktnummer
FDP047
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