Name: FDMS8622
Brand: onsemi
SKU: FDMS8622TR-ND
Price: 1.4518 EUR
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

FDMS8622
DigiKey-Teilenr.	FDMS8622TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) FDMS8622CT-ND - Gurtabschnitt (CT) FDMS8622DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	onsemi
Hersteller-Teilenummer	FDMS8622
Beschreibung	MOSFET N-CH 100V 4.8A/16.5A 8QFN
Standardlieferzeit des Herstellers	17 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 100 V 4,8 A (Ta), 16,5 A (Tc) 2,5W (Ta), 31W (Tc) Oberflächenmontage 8-PQFN (5x6)
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	onsemi
Serie	PowerTrench®
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	100 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	4,8 A (Ta), 16,5 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	6V, 10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	56mOhm bei 4,8A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	4V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	7 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	400 pF @ 50 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	2,5W (Ta), 31W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	8-PQFN (5x6)
Gehäuse / Hülle	8-PowerTDFN
Basis-Produktnummer	FDMS86