Name: FDMS86150ET100
Brand: onsemi
SKU: FDMS86150ET100TR-ND
Price: 7.6755 EUR
Availability: InStock

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FDMS86150ET100
DigiKey-Teilenr.	FDMS86150ET100TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) FDMS86150ET100CT-ND - Gurtabschnitt (CT) FDMS86150ET100DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	onsemi
Hersteller-Teilenummer	FDMS86150ET100
Beschreibung	MOSFET N-CH 100V 16A POWER56
Standardlieferzeit des Herstellers	19 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 100 V 16 A (Ta), 128 A (Tc) 3,3W (Ta), 187W (Tc) Oberflächenmontage 8-PQFN (5x6)
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	onsemi
Serie	PowerTrench®
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	100 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	16 A (Ta), 128 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	6V, 10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	4,85mOhm bei 16A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	4V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	62 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	4065 pF @ 50 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	3,3W (Ta), 187W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 175°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	8-PQFN (5x6)
Gehäuse / Hülle	8-PowerTDFN
Basis-Produktnummer	FDMS86150